SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Ag生长温度对Ag/ZnO肖特基接触特性的影响
李新坤; 李清山; 梁德春; 徐言东; 谢小军
2009
Source Publication中国科学. E辑,技术科学
Volume39Issue:7Pages:1269-1274
Abstract利用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si衬底上制备了ZnO单晶体薄膜,并在不同温度下生长了Ag膜作为肖特基电极,研究了Ag与ZnO的接触特性.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和Ⅰ-Ⅴ测试方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了分析.结果表明,ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,Ag膜随生长温度的不同的晶体质量有较大差异.样品在室温下的Ⅰ-Ⅴ测试结果表明Ag电极的生长温度对Ag/ZnO接触性能有重要影响.在150℃和200℃生长的Ag电极实现了Ag与ZnO的肖特基接触,电极生长温度低于150℃和高于200℃的样品Ag与ZnO均为欧姆接触.经过分析,肖特基接触的形成依赖于在Ag与ZnO接触界面处形成的p型反型层.
metadata_83曲阜师范大学物理工程学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3556177
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15799
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李新坤,李清山,梁德春,等. Ag生长温度对Ag/ZnO肖特基接触特性的影响[J]. 中国科学. E辑,技术科学,2009,39(7):1269-1274.
APA 李新坤,李清山,梁德春,徐言东,&谢小军.(2009).Ag生长温度对Ag/ZnO肖特基接触特性的影响.中国科学. E辑,技术科学,39(7),1269-1274.
MLA 李新坤,et al."Ag生长温度对Ag/ZnO肖特基接触特性的影响".中国科学. E辑,技术科学 39.7(2009):1269-1274.
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