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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Ag生长温度对Ag/ZnO肖特基接触特性的影响
作者: 李新坤;  李清山;  梁德春;  徐言东;  谢小军
发表日期: 2009
摘要: 利用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si衬底上制备了ZnO单晶体薄膜,并在不同温度下生长了Ag膜作为肖特基电极,研究了Ag与ZnO的接触特性.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和Ⅰ-Ⅴ测试方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了分析.结果表明,ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,Ag膜随生长温度的不同的晶体质量有较大差异.样品在室温下的Ⅰ-Ⅴ测试结果表明Ag电极的生长温度对Ag/ZnO接触性能有重要影响.在150℃和200℃生长的Ag电极实现了Ag与ZnO的肖特基接触,电极生长温度低于150℃和高于200℃的样品Ag与ZnO均为欧姆接触.经过分析,肖特基接触的形成依赖于在Ag与ZnO接触界面处形成的p型反型层.
刊名: 中国科学. E辑,技术科学
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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李新坤;李清山;梁德春;徐言东;谢小军.Ag生长温度对Ag/ZnO肖特基接触特性的影响,中国科学. E辑,技术科学,2009,39(7):1269-1274
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