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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长
作者: 成步文;  薛春来;  罗丽萍;  韩根全;  曾玉刚;  薛海韵;  王启明
发表日期: 2009
摘要: 采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×10~5 cm~(-2).原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si与Ge的界面处形成失配位错来实现的.
刊名: 材料科学与工程学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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成步文;薛春来;罗丽萍;韩根全;曾玉刚;薛海韵;王启明.Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长,材料科学与工程学报,2009,27(1):118-120
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