SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长
成步文; 薛春来; 罗丽萍; 韩根全; 曾玉刚; 薛海韵; 王启明
2009
Source Publication材料科学与工程学报
Volume27Issue:1Pages:118-120
Abstract采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×10~5 cm~(-2).原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si与Ge的界面处形成失配位错来实现的.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization973基金,国家自然科学基金,"863计划"基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3559220
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15797
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
成步文,薛春来,罗丽萍,等. Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长[J]. 材料科学与工程学报,2009,27(1):118-120.
APA 成步文.,薛春来.,罗丽萍.,韩根全.,曾玉刚.,...&王启明.(2009).Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长.材料科学与工程学报,27(1),118-120.
MLA 成步文,et al."Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长".材料科学与工程学报 27.1(2009):118-120.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
3723.pdf(704KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[成步文]'s Articles
[薛春来]'s Articles
[罗丽萍]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[成步文]'s Articles
[薛春来]'s Articles
[罗丽萍]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[成步文]'s Articles
[薛春来]'s Articles
[罗丽萍]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.