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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光
作者: 廖凌宏;  周志文;  李成;  陈松岩;  赖虹凯;  余金中;  王启明
发表日期: 2009
摘要: 由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si_(1-x) Ge_x虚衬底上外延应变补偿的Si/S_(1-y) Ge_y(y>x)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上.在实验上,采用300℃生长的Ge量子点插入层,制备出薄的SiGe驰豫缓冲层(虚衬底),表面Ge组份达到0.25,表面粗糙度小于2nm,驰豫度接近100%.在我们制备的SiGe缓冲层上外延了应变补偿SiGe/Si多量子阱结构,并初步研究了其发光特性.
刊名: 材料科学与工程学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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廖凌宏;周志文;李成;陈松岩;赖虹凯;余金中;王启明.Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光,材料科学与工程学报,2009,27(1):146-149
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