SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaN基激光器的特性
张立群; 张书明; 江德生; 朱建军; 赵德刚; 杨辉
2009
Source Publication红外与激光工程
Volume38Issue:1Pages:41-44
AbstractGaN基激光器具有广泛的应用.如何获得平整腔面是蓝宝石衬底上制作GaN激光器的困难之一.通过对解理面的分析和不同衬底厚度时腔面形貌的比较,发现减薄衬底可以有效降低腔面粗糙度.当外延片厚度减薄至50μm时,获得近似镜面的腔面.激光器的测量证实了腔面的改善可以降低阈值电流,增加斜率效率.利用二维光波导模型计算了脊形高度对限制因子和远场分布的影响.计算结果说明,增加脊形高度可以增加限制因子,降低远场纵横比.通过测量具有不同脊形高度的器件,证实了脊形高度增加,阈值电流降低、远场纵横比减小.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3564954
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15789
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张立群,张书明,江德生,等. GaN基激光器的特性[J]. 红外与激光工程,2009,38(1):41-44.
APA 张立群,张书明,江德生,朱建军,赵德刚,&杨辉.(2009).GaN基激光器的特性.红外与激光工程,38(1),41-44.
MLA 张立群,et al."GaN基激光器的特性".红外与激光工程 38.1(2009):41-44.
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