GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性

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题名:	GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性
作者:	刘磊; 陈诺夫; 汪宇; 白一鸣; 崔敏; 高福宝
发表日期:	2009
摘要:	利用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)制备了转化效率达27.1%的GaInP/GaAs/Ge三结叠层电池,并对其光谱响应的温度特性进行了测量研究.通过光谱响应曲线观察到各子电池的吸收边随温度升高发生红移,这主要归因于电池材料禁带宽度的变窄效应.根据光谱响应数据计算得到的GaInP/GaAs/Ge叠层电池各子电池在室温下的短路电流密度分别为12.9,13.7和17 mA/cm~2,且叠层电池的短路电流密度的温度系数为8.9 μA/(cm~2·℃).最后,根据叠层电池的串联结构推导了其电压温度系数为-6.27 mV/℃.
刊名:	科学通报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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刘磊;陈诺夫;汪宇;白一鸣;崔敏;高福宝.GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性,科学通报,2009,54(1):16-20

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