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| GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性 | |
刘磊; 陈诺夫; 汪宇 ; 白一鸣; 崔敏; 高福宝
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| 2009 | |
| Source Publication | 科学通报
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| Volume | 54Issue:1Pages:16-20 |
| Abstract | 利用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)制备了转化效率达27.1%的GaInP/GaAs/Ge三结叠层电池,并对其光谱响应的温度特性进行了测量研究.通过光谱响应曲线观察到各子电池的吸收边随温度升高发生红移,这主要归因于电池材料禁带宽度的变窄效应.根据光谱响应数据计算得到的GaInP/GaAs/Ge叠层电池各子电池在室温下的短路电流密度分别为12.9,13.7和17 mA/cm~2,且叠层电池的短路电流密度的温度系数为8.9 μA/(cm~2·℃).最后,根据叠层电池的串联结构推导了其电压温度系数为-6.27 mV/℃. |
| metadata_83 | 河北大学电子信息工程学院;中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:3565960 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15787 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘磊,陈诺夫,汪宇,等. GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性[J]. 科学通报,2009,54(1):16-20. |
| APA | 刘磊,陈诺夫,汪宇,白一鸣,崔敏,&高福宝.(2009).GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性.科学通报,54(1),16-20. |
| MLA | 刘磊,et al."GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性".科学通报 54.1(2009):16-20. |
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