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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性
作者: 刘磊;  陈诺夫;  汪宇;  白一鸣;  崔敏;  高福宝
发表日期: 2009
摘要: 利用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)制备了转化效率达27.1%的GaInP/GaAs/Ge三结叠层电池,并对其光谱响应的温度特性进行了测量研究.通过光谱响应曲线观察到各子电池的吸收边随温度升高发生红移,这主要归因于电池材料禁带宽度的变窄效应.根据光谱响应数据计算得到的GaInP/GaAs/Ge叠层电池各子电池在室温下的短路电流密度分别为12.9,13.7和17 mA/cm~2,且叠层电池的短路电流密度的温度系数为8.9 μA/(cm~2·℃).最后,根据叠层电池的串联结构推导了其电压温度系数为-6.27 mV/℃.
刊名: 科学通报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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刘磊;陈诺夫;汪宇;白一鸣;崔敏;高福宝.GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性,科学通报,2009,54(1):16-20
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