SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性
刘磊; 陈诺夫; 汪宇; 白一鸣; 崔敏; 高福宝
2009
Source Publication科学通报
Volume54Issue:1Pages:16-20
Abstract利用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)制备了转化效率达27.1%的GaInP/GaAs/Ge三结叠层电池,并对其光谱响应的温度特性进行了测量研究.通过光谱响应曲线观察到各子电池的吸收边随温度升高发生红移,这主要归因于电池材料禁带宽度的变窄效应.根据光谱响应数据计算得到的GaInP/GaAs/Ge叠层电池各子电池在室温下的短路电流密度分别为12.9,13.7和17 mA/cm~2,且叠层电池的短路电流密度的温度系数为8.9 μA/(cm~2·℃).最后,根据叠层电池的串联结构推导了其电压温度系数为-6.27 mV/℃.
metadata_83河北大学电子信息工程学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3565960
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15787
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘磊,陈诺夫,汪宇,等. GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性[J]. 科学通报,2009,54(1):16-20.
APA 刘磊,陈诺夫,汪宇,白一鸣,崔敏,&高福宝.(2009).GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性.科学通报,54(1),16-20.
MLA 刘磊,et al."GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性".科学通报 54.1(2009):16-20.
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