SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器
林涛; 段玉鹏; 郑凯; 崇峰; 马骁宇
2009
Source Publication中国激光
Volume36Issue:1Pages:104-109
Abstract在激光器腔面处制作非吸收窗口(NAW)可以有效地减少光吸收,防止激光器过早出现光学灾变损伤(COD),是提高大功率半导体激光器的功率特性的重要手段之一.采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术二次外延生长了大功率657 nm红光半导体激光器结构,通过闭管扩散Zn的方法在腔面附近制作了非吸收窗口.实验发现扩散温度550 ℃,扩散时间20 min时,得到的非吸收窗口最为有效,激光器连续工作的无扭折输出功率大于100 mW,超过常规的无窗口结构激光器的最大输出功率的两倍,激光器的斜率效率提高了23%.测量该类器件的温度特性发现,环境温度为20~70 ℃时,其输出功率均可大于50 mW,计算得到激光器的特征温度约为89 K,波长增加率约为0.24 nm/℃.
metadata_83西安理工大学电子工程系;西北大学物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体器件
Funding Organization中国博士后科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3579541
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15785
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
林涛,段玉鹏,郑凯,等. 带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器[J]. 中国激光,2009,36(1):104-109.
APA 林涛,段玉鹏,郑凯,崇峰,&马骁宇.(2009).带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器.中国激光,36(1),104-109.
MLA 林涛,et al."带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器".中国激光 36.1(2009):104-109.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
3712.pdf(646KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[林涛]'s Articles
[段玉鹏]'s Articles
[郑凯]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[林涛]'s Articles
[段玉鹏]'s Articles
[郑凯]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[林涛]'s Articles
[段玉鹏]'s Articles
[郑凯]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.