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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器
作者: 林涛;  段玉鹏;  郑凯;  崇峰;  马骁宇
发表日期: 2009
摘要: 在激光器腔面处制作非吸收窗口(NAW)可以有效地减少光吸收,防止激光器过早出现光学灾变损伤(COD),是提高大功率半导体激光器的功率特性的重要手段之一.采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术二次外延生长了大功率657 nm红光半导体激光器结构,通过闭管扩散Zn的方法在腔面附近制作了非吸收窗口.实验发现扩散温度550 ℃,扩散时间20 min时,得到的非吸收窗口最为有效,激光器连续工作的无扭折输出功率大于100 mW,超过常规的无窗口结构激光器的最大输出功率的两倍,激光器的斜率效率提高了23%.测量该类器件的温度特性发现,环境温度为20~70 ℃时,其输出功率均可大于50 mW,计算得到激光器的特征温度约为89 K,波长增加率约为0.24 nm/℃.
刊名: 中国激光
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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林涛;段玉鹏;郑凯;崇峰;马骁宇.带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器,中国激光,2009,36(1):104-109
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