SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
PLD工艺制备高质量ZnO/Si异质外延薄膜
赵杰; 胡礼中; 王维维
2009
Source Publication功能材料
Volume40Issue:6Pages:956-958
Abstract采用脉冲激光沉积工艺在不同条件下以Si(111)为衬底制备了Zno薄膜.通过对不同氧压下(0~50Pa)沉积的样品的室温PL谱测试表明,氧气氛显著地提高了薄膜的发光质量,在50Pa氧气中沉积的ZnO薄膜具有最强的近带边UV发射.XRD测试说明在氧气氛中得到的薄膜结晶质量较差,没有单一的(002)取向.利用-低温(500℃)沉积的ZnO薄膜作缓冲层,得到了高质量的ZnO外延膜.与直接沉积的ZnO膜相比,生长在缓冲层上的ZnO膜展现出规则的斑点状衍射花样,而且拥有更强的UV发射和更窄的UV峰半高宽(98meV).对不同温度下沉积的缓冲层进行了RHEED表征,结果表明,在600~650℃之间生长缓冲层,有望进一步改善ZnO外延膜的质量.
metadata_83大连理工大学,物理与光电工程学院;中国科学院半导体研究所材料科学中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,辽宁省教育厅重点实验室资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3583637
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15783
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
赵杰,胡礼中,王维维. PLD工艺制备高质量ZnO/Si异质外延薄膜[J]. 功能材料,2009,40(6):956-958.
APA 赵杰,胡礼中,&王维维.(2009).PLD工艺制备高质量ZnO/Si异质外延薄膜.功能材料,40(6),956-958.
MLA 赵杰,et al."PLD工艺制备高质量ZnO/Si异质外延薄膜".功能材料 40.6(2009):956-958.
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