SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性
朱彬; 韩勤; 杨晓红
2009
Source Publication光子学报
Volume38Issue:5Pages:1074-1079
Abstract通过测量1.55 μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电流随反向电压和光功率的变化关系,以及模拟能带结构、电场分布等特性,研究了量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性.分析了光电流的产生机制,测量了1.064 μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应,模拟了具有不同势垒高度的量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应.从实验和模拟两方面证明了量子阱的势垒高度是影响量子阱共振腔增强型光电探测器高功率特性的最主要因素.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization中国高技术研究与发展计划,中国重点基础研究发展计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3587338
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15777
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
朱彬,韩勤,杨晓红. 量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性[J]. 光子学报,2009,38(5):1074-1079.
APA 朱彬,韩勤,&杨晓红.(2009).量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性.光子学报,38(5),1074-1079.
MLA 朱彬,et al."量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性".光子学报 38.5(2009):1074-1079.
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