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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的拉曼和光致发光光谱
作者: 郭杰;  孙维国;  彭震宇;  周志强;  徐应强;  牛智川
发表日期: 2009
摘要: 采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb(100)衬底上外延生长晶体结构完整和表面平整的Ⅱ型超晶格InAs(1.2 am)/GaSb(2.4 am).拉曼光谱表明:随着温度从70 K升高至室温,由于热膨胀作用和光声子散射过程中的衰减,超晶格纵光学声子拉曼频移向低波数方向移动5 cm~(-1),频移温度系数约为0.023 cm~(-1)/K.光致发光(PL)峰在2.4~2.8 μm,由带间辐射复合和束缚激子复合构成,2.55 μm PL峰随温度变化(15~150 K)发生微小红移,超晶格中InAs电子带与GaSb空穴带带间距随温度变化比体材料的禁带宽度小.PL发光强度在15~50 K随温度升高而升高,在60~150 K则相反,并在不同温度段表现出不同的温度依赖关系.
刊名: 红外与激光工程
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
郭杰;孙维国;彭震宇;周志强;徐应强;牛智川.InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的拉曼和光致发光光谱,红外与激光工程,2009,38(2):278-281
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