高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: InP-base resonant tunneling diodes
作者: Han Chunlin;  Chen Chen;  Zou Penghui;  Zhang Yang;  Zeng Yiping;  Xue Fangshi;  Gao Jianfeng;  Zhang Zheng;  Geng Tao
发表日期: 2009
摘要: We have fabricated In_0.53Ga_0.47As/AlAs/InP resonant tunneling diodes (RTDs) based on the air-bridge technology by using electron beam lithography processing.The epitaxial layers of the RTD were grown on semi-insulating (100) InP substrates by molecular beam epitaxy.RTDs with a peak current density of 24.6 kA/cm~2 and a peak-to-valley current ratio of 8.6 at room temperature have been demonstrated.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
3697.pdf546KbAdobe PDF浏览/下载


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Han Chunlin;Chen Chen;Zou Penghui;Zhang Yang;Zeng Yiping;Xue Fangshi;Gao Jianfeng;Zhang Zheng;Geng Tao.InP-base resonant tunneling diodes,半导体学报,2009,30(6):48-50
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Han Chunlin]的文章
 [Chen Chen]的文章
 [Zou Penghui]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Han Chunlin]的文章
 [Chen Chen]的文章
 [Zou Penghui]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发