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射频分子束外延生长AlInGaN四元合金 | |
王保柱![]() | |
2009 | |
Source Publication | 无机材料学报
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Volume | 24Issue:3Pages:559-562 |
Abstract | 利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铝铟镓氮(AlInGaN)四元合金,通过改变Al源的束流生长了不同组分的AlInGaN四元合金,材料生长过程中采用反射式高能电子衍射(RHEED)进行了在位检测.通过扫描电镜(SEM)、卢瑟福背散射(RBS)、X射线衍射(XRD)和阴极荧光(CL)等测试手段表征了AlInGaN四元合金的结构和光学特性.研究结果表明:在GaN层上生长AlInGaN外延层时,外延膜呈二维生长;当铝炉的温度为920℃时,外延AlInGaN四元合金外延薄膜中Al/In接近4.7,X射线衍射摇摆曲线的半高宽最小为5arcmin,四元合金的阴极荧光发光峰的半高宽为25nm,AlInGaN四元合金外延层具有较好的晶体质量和光学质量. |
metadata_83 | 河北科技大学,信息科学与技术学院;中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:3620697 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15747 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王保柱,王晓亮. 射频分子束外延生长AlInGaN四元合金[J]. 无机材料学报,2009,24(3):559-562. |
APA | 王保柱,&王晓亮.(2009).射频分子束外延生长AlInGaN四元合金.无机材料学报,24(3),559-562. |
MLA | 王保柱,et al."射频分子束外延生长AlInGaN四元合金".无机材料学报 24.3(2009):559-562. |
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