射频分子束外延生长AlInGaN四元合金

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题名:	射频分子束外延生长AlInGaN四元合金
作者:	王保柱; 王晓亮
发表日期:	2009
摘要:	利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铝铟镓氮(AlInGaN)四元合金,通过改变Al源的束流生长了不同组分的AlInGaN四元合金,材料生长过程中采用反射式高能电子衍射(RHEED)进行了在位检测.通过扫描电镜(SEM)、卢瑟福背散射(RBS)、X射线衍射(XRD)和阴极荧光(CL)等测试手段表征了AlInGaN四元合金的结构和光学特性.研究结果表明:在GaN层上生长AlInGaN外延层时,外延膜呈二维生长;当铝炉的温度为920℃时,外延AlInGaN四元合金外延薄膜中Al/In接近4.7,X射线衍射摇摆曲线的半高宽最小为5arcmin,四元合金的阴极荧光发光峰的半高宽为25nm,AlInGaN四元合金外延层具有较好的晶体质量和光学质量.
刊名:	无机材料学报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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王保柱;王晓亮.射频分子束外延生长AlInGaN四元合金,无机材料学报,2009,24(3):559-562

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