SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
射频分子束外延生长AlInGaN四元合金
王保柱; 王晓亮
2009
Source Publication无机材料学报
Volume24Issue:3Pages:559-562
Abstract利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铝铟镓氮(AlInGaN)四元合金,通过改变Al源的束流生长了不同组分的AlInGaN四元合金,材料生长过程中采用反射式高能电子衍射(RHEED)进行了在位检测.通过扫描电镜(SEM)、卢瑟福背散射(RBS)、X射线衍射(XRD)和阴极荧光(CL)等测试手段表征了AlInGaN四元合金的结构和光学特性.研究结果表明:在GaN层上生长AlInGaN外延层时,外延膜呈二维生长;当铝炉的温度为920℃时,外延AlInGaN四元合金外延薄膜中Al/In接近4.7,X射线衍射摇摆曲线的半高宽最小为5arcmin,四元合金的阴极荧光发光峰的半高宽为25nm,AlInGaN四元合金外延层具有较好的晶体质量和光学质量.
metadata_83河北科技大学,信息科学与技术学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3620697
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15747
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王保柱,王晓亮. 射频分子束外延生长AlInGaN四元合金[J]. 无机材料学报,2009,24(3):559-562.
APA 王保柱,&王晓亮.(2009).射频分子束外延生长AlInGaN四元合金.无机材料学报,24(3),559-562.
MLA 王保柱,et al."射频分子束外延生长AlInGaN四元合金".无机材料学报 24.3(2009):559-562.
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