SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Ni基电极淀积前后表面处理对p-GaN欧姆接触的影响
林孟喆; 曹青; 颜廷静; 陈良惠
2009
Source Publication半导体光电
Volume30Issue:4Pages:541-545
Abstract在p-GaN上蒸发Ni/Au电极前,采用王水、HCl、缓冲HF进行前表面处理,O_2气氛下退火后,比较各电极样品的I-V特性和表面形貌.结果显示无表面处理时接触电阻最小,且溶剂处理后残留的电解质会影响电极的电流特性和稳定性.用俄歇电子能谱(AES)测试不同元素随深度分布情况,发现高温退火过程中NiO的形成有自动清洁p-GaN表面的作用,因此对于Ni基电极前表面处理不是必需的.再将样品用10%草酸溶液处理,其I-V特性显示接触电阻率明显下降;X射线光电子能谱(XPS)测试显示草酸溶液处理后电极表面Ni含量显著减少,而Au元素信号峰增强,说明表面高阻P型NiO被有效除去,对改善接触性能具有实际意义.
metadata_83中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization中国科学院知识创新工程重要方向项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3656420
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15733
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
林孟喆,曹青,颜廷静,等. Ni基电极淀积前后表面处理对p-GaN欧姆接触的影响[J]. 半导体光电,2009,30(4):541-545.
APA 林孟喆,曹青,颜廷静,&陈良惠.(2009).Ni基电极淀积前后表面处理对p-GaN欧姆接触的影响.半导体光电,30(4),541-545.
MLA 林孟喆,et al."Ni基电极淀积前后表面处理对p-GaN欧姆接触的影响".半导体光电 30.4(2009):541-545.
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