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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Dependence of wet etch rate on deposition, annealing conditions and etchants for PECVD silicon nitride film
作者: Tang Longjuan;  Zhu Yinfang;  Yang Jinling;  Li Yan;  Zhou Wei;  Xie Jing;  Liu Yunfei;  Yang Fuhua
发表日期: 2009
摘要: The influence of deposition, annealing conditions, and etchants on the wet etch rate of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) silicon nitride thin film is studied. The deposition source gas flow rate and annealing temperature were varied to decrease the etch rate of SiN_x:H by HF solution. A low etch rate was achieved by increasing the SiH_4 gas flow rate or annealing temperature, or decreasing the NH_3 and N_2 gas flow rate. Concen-trated, buffered, and dilute hydrofluoric acid were utilized as etchants for SiO_2 and SiN_x:H. A high etching selectivity of SiO_2 over SiN_x:H was obtained using highly concentrated buffered HF.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Tang Longjuan;Zhu Yinfang;Yang Jinling;Li Yan;Zhou Wei;Xie Jing;Liu Yunfei;Yang Fuhua.Dependence of wet etch rate on deposition, annealing conditions and etchants for PECVD silicon nitride film,半导体学报,2009,30(9):151-154
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