SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
OPS-VECSEL芯片的生长与光谱研究
黄祖炎; 韦欣; 王青; 宋国峰
2009
Source Publication半导体技术
Volume34Issue:10Pages:998-1001
Abstract光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)是一种新型激光器,在很多领域都具有广阔的应用前景.采用MOCVD生长了工作波长为980 nm的VECSEL芯片,测量了芯片X射线衍射(XRD)图谱,光致发光(PL)谱和反射谱,结果表明,芯片生长的准确性较高.同时采用物理光学的理论结合实际模型,运用矩阵分析方法计算了VECSEL的反射谱,计算结果与实验结果吻合良好.最后,通过对不同窗口层厚度的纵向增强因子的计算和分析得到了共振结构具有高的峰值增强,反共振结构具有大的增益带宽.在理论上提出,对于该OPS-VECSEL结构,采用共振和反共振结构之间的窗口厚度可以使其稳定工作在特定波长而又不严格限制增益带宽.
metadata_83中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金重点项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3675514
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15701
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
黄祖炎,韦欣,王青,等. OPS-VECSEL芯片的生长与光谱研究[J]. 半导体技术,2009,34(10):998-1001.
APA 黄祖炎,韦欣,王青,&宋国峰.(2009).OPS-VECSEL芯片的生长与光谱研究.半导体技术,34(10),998-1001.
MLA 黄祖炎,et al."OPS-VECSEL芯片的生长与光谱研究".半导体技术 34.10(2009):998-1001.
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