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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photoluminescence spectroscopy of sputtering Er-doped silicon-rich silicon nitride films
作者: Ding Wuchang;  Zuo Yuhua;  Zhang Yun;  Guo Jianchuan;  Cheng Buwen;  Yu Jinzhong;  Wang Qiming;  Guo Hengqun;  Lü Peng;  Shen Jiwei
发表日期: 2009
摘要: Er-doped silicon-rich silicon nitride (SRN) films were deposited on silicon substrate by an RF magnetron reaction sputtering system. After high temperature annealing, the films show intense photoluminescence in both the visible and infrared regions. Besides broad-band luminescence centered at 780 nm which originates from silicon nanocrystals, resolved peaks due to transitions from all high energy levels up to ~2H_(11/2) to the ground state of Er~(3+) are observed. Raman spectra and HRTEM measurements have been performed to investigate the structure of the films, and possible excitation processes are discussed.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Ding Wuchang;Zuo Yuhua;Zhang Yun;Guo Jianchuan;Cheng Buwen;Yu Jinzhong;Wang Qiming;Guo Hengqun;Lü Peng;Shen Jiwei.Photoluminescence spectroscopy of sputtering Er-doped silicon-rich silicon nitride films,半导体学报,2009,30(10):1-4
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