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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 1-Gb/s zero-pole cancellation CMOS transimpedance amplifier for Gigabit Ethernet applications
作者: Huang Beiju;  Zhang Xu;  Chen Hongda
发表日期: 2009
摘要: A zero-pole cancellation transimpedance amplifier (TIA) has been realized in 0.35 μm RF CMOS tech nology for Gigabit Ethernet applications. The TIA exploits a zero-pole cancellation configuration to isolate the input parasitic capacitance including photodiode capacitance from bandwidth deterioration. Simulation results show that the proposed TIA has a bandwidth of 1.9 GHz and a transimpedance gain of 65 dB·Ω for 1.5 pF photodiode capaci tance, with a gain-bandwidth product of 3.4 THz·Ω. Even with 2 pF photodiode capacitance, the bandwidth exhibits a decline of only 300 MHz, confirming the mechanism of the zero-pole cancellation configuration. The input resis tance is 50 Ω, and the average input noise current spectral density is 9.7 pA/(Hz)~(1/2). Testing results shows that the eye diagram at 1 Gb/s is wide open. The chip dissipates 17 mW under a single 3.3 V supply.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Huang Beiju;Zhang Xu;Chen Hongda.1-Gb/s zero-pole cancellation CMOS transimpedance amplifier for Gigabit Ethernet applications,半导体学报,2009,30(10):81-85
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