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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: A novel noise optimization technique for inductively degenerated CMOS LNA
作者: Geng Zhiqing;  Wang Haiyong;  Wu Nanjian
发表日期: 2009
摘要: This paper proposes a novel noise optimization technique. The technique gives analytical formulae for the noise performance of inductively degenerated CMOS low noise amplifier (LNA) circuits with an ideal gate inductor for a fixed bias voltage and nonideal gate inductor for a fixed power dissipation, respectively, by mathematical analysis and reasonable approximation methods. LNA circuits with required noise figure can be designed effectively and rapidly just by using hand calculations of the proposed formulae. We design a 1.8 GHz LNA in a TSMC 0.25 pan CMOS process. The measured results show a noise figure of 1.6 dB with a forward gain of 14.4 dB at a power consumption of 5 mW, demonstrating that the designed LNA circuits can achieve low noise figure levels at low power dissipation.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Geng Zhiqing;Wang Haiyong;Wu Nanjian.A novel noise optimization technique for inductively degenerated CMOS LNA,半导体学报,2009,30(10):137-142
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