Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫 | |
| 李文生; 孙宝权 | |
| 2009 | |
| Source Publication | 发光学报
 |
| Volume | 30Issue:5Pages:668-672 |
| Abstract | 利用分子束外延制备了三种类型量子点样品,它们分别是:未掺杂样品、n型Si调制掺杂样品和p型Be调制掺杂样品.在5 K温度下,采用共聚焦显微镜系统,测量了单量子点的光致发光谱和时间分辨光谱, 研究了单量子点中三种类型激子(本征激子、负电荷激子和正电荷激子)的电子/空穴自旋翻转时间.它们的自旋翻转时间常数分别为: 本征激子的自旋翻转时间约16 ns, 正电荷激子中电子的自旋翻转时间约2 ns, 负电荷激子中空穴的自旋翻转时间约50 ps. |
| metadata_83 | 通辽职业学院,生物化工系;中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 半导体物理 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:3693654 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15687 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李文生,孙宝权. InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫[J]. 发光学报,2009,30(5):668-672. |
| APA | 李文生,&孙宝权.(2009).InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫.发光学报,30(5),668-672. |
| MLA | 李文生,et al."InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫".发光学报 30.5(2009):668-672. |
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