SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫
李文生; 孙宝权
2009
Source Publication发光学报
Volume30Issue:5Pages:668-672
Abstract利用分子束外延制备了三种类型量子点样品,它们分别是:未掺杂样品、n型Si调制掺杂样品和p型Be调制掺杂样品.在5 K温度下,采用共聚焦显微镜系统,测量了单量子点的光致发光谱和时间分辨光谱, 研究了单量子点中三种类型激子(本征激子、负电荷激子和正电荷激子)的电子/空穴自旋翻转时间.它们的自旋翻转时间常数分别为: 本征激子的自旋翻转时间约16 ns, 正电荷激子中电子的自旋翻转时间约2 ns, 负电荷激子中空穴的自旋翻转时间约50 ps.
metadata_83通辽职业学院,生物化工系;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3693654
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15687
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李文生,孙宝权. InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫[J]. 发光学报,2009,30(5):668-672.
APA 李文生,&孙宝权.(2009).InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫.发光学报,30(5),668-672.
MLA 李文生,et al."InAs/GaAs单量子点中电子/空穴自旋弛豫".发光学报 30.5(2009):668-672.
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