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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: CVD制备SiO_x纳米线的各个生长阶段的直接实验证据
作者: 吴燕;  黄胜利;  朱贤方;  李论雄;  王占国;  王连洲
发表日期: 2009
摘要: 在纳米线的制备中,气-液-固(VLS)生长机制得到了人们的广泛认可,但该机制的很多细节还停留在模型阶段.依托实验室自行设计的一台生长条件高度可控的高温化学气相沉积(CVD)系统,采用较为简便的方法,直接在Si片衬底上制备出了SiO_x纳米线.通过严格控制实验参数,用离位观测捕捉到了纳米线的催化、形核和长大的一系列过程及其相关细节,并发现纳米线从细到粗的气-液-固(VLS)生长机制.讨论了气-液-固(VLS)机制中气态Si原子的来源以及纳米线的催化、形核和长大过程中的纳米曲率效应和"纳米熟化"现象,取得了对SiO_x纳米线VLS催化生长机制的理解的突破.
刊名: 科学通报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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吴燕;黄胜利;朱贤方;李论雄;王占国;王连洲.CVD制备SiO_x纳米线的各个生长阶段的直接实验证据,科学通报,2009,54(19):2988-2992
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