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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 以弱p型为有源区的新型p-n结构GaN紫外探测器
作者: 周梅;  赵德刚
发表日期: 2009
摘要: 提出了以弱p型(p~--GaN)为有源区的p-n结构GaN紫外探测器.由于弱p型层的载流子浓度较低,很容易增加耗尽区的宽度,从而可以增加器件的量子效率.通过模拟计算,研究了金属与p~--GaN层的肖特基接触势垒高度、p~--GaN层厚度等参数对器件性能的影响.研究结果表明,降低金属与p~--GaN层的接触势垒高度、适当减小p~--GaN层厚度能够实现有源层方向单一的内建电场,从而提高器件的量子效率.要制备出具有良好性能的p-n结构紫外探测器,必须减小p~--GaN层厚度,降低金属与p~--GaN层的接触势垒高度.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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周梅;赵德刚.以弱p型为有源区的新型p-n结构GaN紫外探测器,物理学报,2009,58(10):7255-7260
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