SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
以弱p型为有源区的新型p-n结构GaN紫外探测器
周梅; 赵德刚
2009
Source Publication物理学报
Volume58Issue:10Pages:7255-7260
Abstract提出了以弱p型(p~--GaN)为有源区的p-n结构GaN紫外探测器.由于弱p型层的载流子浓度较低,很容易增加耗尽区的宽度,从而可以增加器件的量子效率.通过模拟计算,研究了金属与p~--GaN层的肖特基接触势垒高度、p~--GaN层厚度等参数对器件性能的影响.研究结果表明,降低金属与p~--GaN层的接触势垒高度、适当减小p~--GaN层厚度能够实现有源层方向单一的内建电场,从而提高器件的量子效率.要制备出具有良好性能的p-n结构紫外探测器,必须减小p~--GaN层厚度,降低金属与p~--GaN层的接触势垒高度.
metadata_83中国农业大学理学院应用物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金,教育部高等学校科技创新工程重大项目培育资金项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3696264
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15683
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周梅,赵德刚. 以弱p型为有源区的新型p-n结构GaN紫外探测器[J]. 物理学报,2009,58(10):7255-7260.
APA 周梅,&赵德刚.(2009).以弱p型为有源区的新型p-n结构GaN紫外探测器.物理学报,58(10),7255-7260.
MLA 周梅,et al."以弱p型为有源区的新型p-n结构GaN紫外探测器".物理学报 58.10(2009):7255-7260.
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