SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
光通信C波段硅基导模共振窄带滤波器的模拟
郭剑川; 左玉华; 张岭梓; 张云; 丁武昌; 成步文; 余金中; 王启明
2009
Source Publication半导体光电
Volume30Issue:5Pages:663-668
Abstract结合严格耦合波理论和遗传算法对C波段硅基导模共振滤波器进行了模拟分析.从模拟结果出发详细讨论了光栅周期、填充因子、光栅深度和入射角度对滤波器反射特性的影响.导模共振对光栅周期、填充因子、光栅深度和入射角度都有很高的敏感性,利用这一特点可以设计性能优异的硅基滤波器件.导模共振滤波器的共振波长峰值反射率达到了98.9%,峰值半高宽小于密集渡分复用(DWDM)O.8 nm的要求.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家重点基础研究计划项目,国家高技术研究发展计划项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3708684
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15673
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
郭剑川,左玉华,张岭梓,等. 光通信C波段硅基导模共振窄带滤波器的模拟[J]. 半导体光电,2009,30(5):663-668.
APA 郭剑川.,左玉华.,张岭梓.,张云.,丁武昌.,...&王启明.(2009).光通信C波段硅基导模共振窄带滤波器的模拟.半导体光电,30(5),663-668.
MLA 郭剑川,et al."光通信C波段硅基导模共振窄带滤波器的模拟".半导体光电 30.5(2009):663-668.
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