基于扣除法的电吸收调制器本征特性分析方法

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	基于扣除法的电吸收调制器本征特性分析方法
	哈森其其格; 张昀; 刘宇; 谢亮; 祝宁华
	2009
Source Publication	光学学报
Volume	29 Issue:10 Pages:2881-2884
Abstract	基于电吸收调制器的工作原理和等效电路模型对调制器的高频响应特性进行分析,提出了一种采用频率响应扣除法提取有源区本征响应的仿真新方法.该方法能简单地去掉封装网络、夹具及光探测仪器等带来的影响,用该方法得到了待测InGaAs/InAIAs材料电吸收调制器准确的的高频本征响应特性.
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家973计划,国家自然科学基金,科技部重大国际合作项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:3724399
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15669
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	哈森其其格,张昀,刘宇,等. 基于扣除法的电吸收调制器本征特性分析方法[J]. 光学学报,2009,29(10):2881-2884.
APA	哈森其其格,张昀,刘宇,谢亮,&祝宁华.(2009).基于扣除法的电吸收调制器本征特性分析方法.光学学报,29(10),2881-2884.
MLA	哈森其其格,et al."基于扣除法的电吸收调制器本征特性分析方法".光学学报 29.10(2009):2881-2884.

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