SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
基于扣除法的电吸收调制器本征特性分析方法
哈森其其格; 张昀; 刘宇; 谢亮; 祝宁华
2009
Source Publication光学学报
Volume29Issue:10Pages:2881-2884
Abstract基于电吸收调制器的工作原理和等效电路模型对调制器的高频响应特性进行分析,提出了一种采用频率响应扣除法提取有源区本征响应的仿真新方法.该方法能简单地去掉封装网络、夹具及光探测仪器等带来的影响,用该方法得到了待测InGaAs/InAIAs材料电吸收调制器准确的的高频本征响应特性.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家973计划,国家自然科学基金,科技部重大国际合作项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3724399
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15669
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
哈森其其格,张昀,刘宇,等. 基于扣除法的电吸收调制器本征特性分析方法[J]. 光学学报,2009,29(10):2881-2884.
APA 哈森其其格,张昀,刘宇,谢亮,&祝宁华.(2009).基于扣除法的电吸收调制器本征特性分析方法.光学学报,29(10),2881-2884.
MLA 哈森其其格,et al."基于扣除法的电吸收调制器本征特性分析方法".光学学报 29.10(2009):2881-2884.
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