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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: A voltage-controlled ring oscillator using InP full enhancement-mode HEMT logic
作者: Du Rui;  Dai Yang;  Chen Yanling;  Yang Fuhua
发表日期: 2009
摘要: A voltage-controlled ring oscillator (VCO) based on a full enhancement-mode InAIAs/InGaAs/InP high electron mobility transistor (HEMT) logic is proposed. An enhancement-mode HEMT (E-HEMT) is fabricated, whose threshold is demonstrated to be 10 mV. The model of the E-HEMT is established and used in the SPICE simulation of the VCO. The result proves that the full E-HEMT logic technology can be applied to the VCO. And compared with the HEMT DCFL technology, the complexity of our fabrication process is reduced and the reliability is improved.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Du Rui;Dai Yang;Chen Yanling;Yang Fuhua.A voltage-controlled ring oscillator using InP full enhancement-mode HEMT logic,半导体学报,2009,30(3):87-91
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