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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响
作者: 张爽;  赵德刚;  刘宗顺;  朱建军;  张书明;  王玉田;  段俐宏;  刘文宝;  江德生;  杨辉
发表日期: 2009
摘要: 研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN,n-GaN)结构紫外探测器的漏电机理.实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电.进一步的SEM测试发现,这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-GaN层.在制备p-AlGaN电极时,许多金属会落在V形坑中,从而与i-GaN形成了肖特基接触.有些甚至直接和n-GaN形成欧姆接触.正是由于并联的肖特基接触和欧姆接触的存在导致了漏电的增加.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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张爽;赵德刚;刘宗顺;朱建军;张书明;王玉田;段俐宏;刘文宝;江德生;杨辉.穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响,物理学报,2009,58(11):7952-7957
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