SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响
张爽; 赵德刚; 刘宗顺; 朱建军; 张书明; 王玉田; 段俐宏; 刘文宝; 江德生; 杨辉
2009
Source Publication物理学报
Volume58Issue:11Pages:7952-7957
Abstract研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN,n-GaN)结构紫外探测器的漏电机理.实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电.进一步的SEM测试发现,这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-GaN层.在制备p-AlGaN电极时,许多金属会落在V形坑中,从而与i-GaN形成了肖特基接触.有些甚至直接和n-GaN形成欧姆接触.正是由于并联的肖特基接触和欧姆接触的存在导致了漏电的增加.
metadata_83中国科学院半导体研究所;中国科学院半导体研究所国家重点联合实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3748588
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15659
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张爽,赵德刚,刘宗顺,等. 穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响[J]. 物理学报,2009,58(11):7952-7957.
APA 张爽.,赵德刚.,刘宗顺.,朱建军.,张书明.,...&杨辉.(2009).穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响.物理学报,58(11),7952-7957.
MLA 张爽,et al."穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响".物理学报 58.11(2009):7952-7957.
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