SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Si衬底减薄及氧化对硅基二氧化硅波导应力双折射影响的数值分析
杨淑英; 安俊明
2009
Source Publication内蒙古大学学报. 自然科学版
Volume40Issue:6Pages:650-654
Abstract采用有限元法对硅基二氧化硅波导在玻璃化过程中的应力与Si衬底厚度和背面氧化层厚度的关系进行了系统的分析;在此基础上,应用全矢量有限差分束传播法(FD-BPM) 对应力光波导的双折射进行了分析.结果表明随着Si衬底厚度的减薄,波导附近水平方向和垂直方向所受应力趋于一致,双折射系数B可小于10~(-4);Si衬底背面氧化层的存在使双折射系数略有增大,但随氧化层厚度的增加可减缓其增加量.
metadata_83呼和浩特职业学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3753165
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15655
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
杨淑英,安俊明. Si衬底减薄及氧化对硅基二氧化硅波导应力双折射影响的数值分析[J]. 内蒙古大学学报. 自然科学版,2009,40(6):650-654.
APA 杨淑英,&安俊明.(2009).Si衬底减薄及氧化对硅基二氧化硅波导应力双折射影响的数值分析.内蒙古大学学报. 自然科学版,40(6),650-654.
MLA 杨淑英,et al."Si衬底减薄及氧化对硅基二氧化硅波导应力双折射影响的数值分析".内蒙古大学学报. 自然科学版 40.6(2009):650-654.
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