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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Si衬底减薄及氧化对硅基二氧化硅波导应力双折射影响的数值分析
作者: 杨淑英;  安俊明
发表日期: 2009
摘要: 采用有限元法对硅基二氧化硅波导在玻璃化过程中的应力与Si衬底厚度和背面氧化层厚度的关系进行了系统的分析;在此基础上,应用全矢量有限差分束传播法(FD-BPM) 对应力光波导的双折射进行了分析.结果表明随着Si衬底厚度的减薄,波导附近水平方向和垂直方向所受应力趋于一致,双折射系数B可小于10~(-4);Si衬底背面氧化层的存在使双折射系数略有增大,但随氧化层厚度的增加可减缓其增加量.
刊名: 内蒙古大学学报. 自然科学版
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
杨淑英;安俊明.Si衬底减薄及氧化对硅基二氧化硅波导应力双折射影响的数值分析,内蒙古大学学报. 自然科学版,2009,40(6):650-654
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