4×4热光SOI波导开关阵列

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	4×4热光SOI波导开关阵列
	陈媛媛; 李艳萍; 余金中
	2009
Source Publication	光电子·激光
Volume	20 Issue:3 Pages:283-285
Abstract	设计并制作了阻塞型和完全无阻塞型4×4热光SOI(silicon-on-insulator)波导开关阵列.开关单元采用了多模干涉耦合器(MMI)-MZI(Mach-Zehnder intederometer)结构的2×2光开关.阻塞型光开关附加损耗为4.8～5.4 dB,串扰为-21.8 dB～-14.5 dB.完全无阻塞型光开关阵列附加损耗为6.6～9.6 dB,串扰为-25.8～-16.8 dB.两者的消光比都在17～25 dB内变化,开关单元功耗小于230 mW.器件的开关时间小于3μs.功耗和开关速度都明显优于SiO_2基和聚合物基的开关阵列.
metadata_83	北京工商大学信息工程学院;北京大学;中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家高技术研究发展计划资助项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:3761481
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15643
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	陈媛媛,李艳萍,余金中. 4×4热光SOI波导开关阵列[J]. 光电子·激光,2009,20(3):283-285.
APA	陈媛媛,李艳萍,&余金中.(2009).4×4热光SOI波导开关阵列.光电子·激光,20(3),283-285.
MLA	陈媛媛,et al."4×4热光SOI波导开关阵列".光电子·激光 20.3(2009):283-285.

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