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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 4×4热光SOI波导开关阵列
作者: 陈媛媛;  李艳萍;  余金中
发表日期: 2009
摘要: 设计并制作了阻塞型和完全无阻塞型4×4热光SOI(silicon-on-insulator)波导开关阵列.开关单元采用了多模干涉耦合器(MMI)-MZI(Mach-Zehnder intederometer)结构的2×2光开关.阻塞型光开关附加损耗为4.8~5.4 dB,串扰为-21.8 dB~-14.5 dB.完全无阻塞型光开关阵列附加损耗为6.6~9.6 dB,串扰为-25.8~-16.8 dB.两者的消光比都在17~25 dB内变化,开关单元功耗小于230 mW.器件的开关时间小于3μs.功耗和开关速度都明显优于SiO_2基和聚合物基的开关阵列.
刊名: 光电子·激光
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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陈媛媛;李艳萍;余金中.4×4热光SOI波导开关阵列,光电子·激光,2009,20(3):283-285
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