4×4热光SOI波导开关阵列

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题名:	4×4热光SOI波导开关阵列
作者:	陈媛媛; 李艳萍; 余金中
发表日期:	2009
摘要:	设计并制作了阻塞型和完全无阻塞型4×4热光SOI(silicon-on-insulator)波导开关阵列.开关单元采用了多模干涉耦合器(MMI)-MZI(Mach-Zehnder intederometer)结构的2×2光开关.阻塞型光开关附加损耗为4.8～5.4 dB,串扰为-21.8 dB～-14.5 dB.完全无阻塞型光开关阵列附加损耗为6.6～9.6 dB,串扰为-25.8～-16.8 dB.两者的消光比都在17～25 dB内变化,开关单元功耗小于230 mW.器件的开关时间小于3μs.功耗和开关速度都明显优于SiO_2基和聚合物基的开关阵列.
刊名:	光电子·激光
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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陈媛媛;李艳萍;余金中.4×4热光SOI波导开关阵列,光电子·激光,2009,20(3):283-285

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