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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: InAs量子环中类氢杂质能级
作者: 郑文礼;  李志文;  王雪峰
发表日期: 2009
摘要: 在有效质量近似下,利用微扰法研究了InAs量子环内类氢杂质基态及低激发态的能级分布.受限势采用抛物形势,在二维平面极坐标下,用薛定谔方程的精确解析解进行计算.数值计算结果显示,电子能级敏感地依赖于量子环半径,能级存在极小值,这是由于限制势采用抛物势的结果.如果减小环的半径,可以增加能级间距.第一激发态类氢杂质能级的简并没有消除,n≥2时简并的能级发生分裂并且间距随半径的增大而增大.电子能级间距还敏感地依赖于角频率并随角频率的增大而增大.第一激发态的简并没有消除,第二激发态的简并被部分地消除.在计算InAs量子环中类氢杂质的基态和低激发态的能级时,角频率改变的影响也是很深刻的.文章结果对研究量子环的光跃迁及光谱结构有重要指导意义.
刊名: 光谱学与光谱分析
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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郑文礼;李志文;王雪峰.InAs量子环中类氢杂质能级,光谱学与光谱分析,2009,29(3):607-610
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