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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: MOCVD生长Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性
作者: 王保柱;  安胜彪;  文环明;  武瑞红;  王晓君;  王晓亮
发表日期: 2009
摘要: 采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱(MQWs)结构.通过双晶X射线衍射(DCXRD)、原子力显微镜(AFM)和阴极荧光(CL)等测试技术,分别对样品的结构和光学特性进行了表征.在DCXRD图谱中,可以观察到明显的MQWs衍射卫星峰,通过拟和,MQWs结构中阱和垒的厚度分别为2.1和9.4 nm,Al组分分别为0.48和0.54.在AFM表面形貌图上,可以观察到清晰的台阶流,表明MQWs获得了二维生长;与此同时,MQWs结构存在一些裂缝,主要原因为AlGaNMQWs结构和下层GaN层间存在很大的应力.CL测试表明,AlGaN MQWs结构的发光波长为295 nm,处于深紫外波段,同时观察到处于蓝光、绿光波段的缺陷发光.
刊名: 光电子·激光
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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王保柱;安胜彪;文环明;武瑞红;王晓君;王晓亮.MOCVD生长Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性,光电子·激光,2009,20(11):1454-1457
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