SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质
杨威; 姬扬; 罗海辉; 阮学忠; 王玮竹; 赵建华
2009
Source Publication物理学报
Volume58Issue:12Pages:8560-8565
Abstract建立了自发噪声谱测量系统来研究稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声性质.通过测量(Ga,Mn)As材料的自发噪声谱,发现(Ga,Mn)As的自发涨落会随温度升高而逐渐增大,同时,外加磁场会降低(Ga,Mn)As的自发涨落,这来源于外加磁场导致的(Ga,Mn)As磁畴部分有序化.此外,不同频率的噪声随温度的变化规律有很大差异:当频率低于30 kHz的时候,噪声谱和温度的变化关系和热噪声很相似,但数值上明显大于热噪声的值;当频率在30 kHz左右的时候,噪声大小和温度成线性关系;当频率大于30 kHz以后,在相变点附近噪声大小和温度的关系出现了明显的转折,高频高温噪声的大小和热噪声的理论值非常接近.这些结果有助于深入理解(Ga,Mn)As磁性起源的物理机制.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3777814
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15631
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
杨威,姬扬,罗海辉,等. Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质[J]. 物理学报,2009,58(12):8560-8565.
APA 杨威,姬扬,罗海辉,阮学忠,王玮竹,&赵建华.(2009).Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质.物理学报,58(12),8560-8565.
MLA 杨威,et al."Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质".物理学报 58.12(2009):8560-8565.
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