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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: InAs 单量子点精细结构光谱
作者: 李文生;  孙宝权
发表日期: 2009
摘要: 在5 K下,采用光致发光光谱和时间分辨光谱研究了不同单量子点的精细结构和对应发光光谱的偏振性、单激子/双激子发光光谱和相应发光动力学.给出InAs单量子点发光光谱所对应能级的精细结构及激子本征态的偏振特性.当精细结构能级劈裂为零时, 激子的本征态为简并的圆偏振态.而当精细结构能级劈裂大于零时,一般在几十到几百μeV,激子的本征态为非简并的线偏振态.相对于单激子发光寿命,激子-激子间的散射使单激子的复合发光寿命减小.
刊名: 发光学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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李文生;孙宝权.InAs 单量子点精细结构光谱,发光学报,2009,30(6):812-817
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