SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InAs 单量子点精细结构光谱
李文生; 孙宝权
2009
Source Publication发光学报
Volume30Issue:6Pages:812-817
Abstract在5 K下,采用光致发光光谱和时间分辨光谱研究了不同单量子点的精细结构和对应发光光谱的偏振性、单激子/双激子发光光谱和相应发光动力学.给出InAs单量子点发光光谱所对应能级的精细结构及激子本征态的偏振特性.当精细结构能级劈裂为零时, 激子的本征态为简并的圆偏振态.而当精细结构能级劈裂大于零时,一般在几十到几百μeV,激子的本征态为非简并的线偏振态.相对于单激子发光寿命,激子-激子间的散射使单激子的复合发光寿命减小.
metadata_83通辽职业学院,生物化工系;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3784276
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15627
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李文生,孙宝权. InAs 单量子点精细结构光谱[J]. 发光学报,2009,30(6):812-817.
APA 李文生,&孙宝权.(2009).InAs 单量子点精细结构光谱.发光学报,30(6),812-817.
MLA 李文生,et al."InAs 单量子点精细结构光谱".发光学报 30.6(2009):812-817.
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