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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: PHOTOEMISSION-STUDIES OF K-PROMOTED NITRIDATION OF INP(100) SURFACE USING SYNCHROTRON-RADIATION
作者: ZHAO TX;  JI H;  LIANG Q;  WANG XP;  XU PS;  LU ED;  WU JX;  XU ZJ
发表日期: 1994
摘要: The effect of molecular nitrogen exposure on the surfaces of InP(100) modified by potassium overlayers is investigated by core-level and valence-band photoemission spectroscopy using Synchrotron radiation. In comparison with InP(110) surface, we found the promotion is much stronger for InP(100) surface due to the central role of surface defects in the promotion; furthermore, in contrast with K-promoted oxidation of InP(100) where the bonding is observed between indium and oxygen, indium atoms did not react directly with nitrogen atoms during the K-promoted nitridation of InP(100).
KOS主题词: Oxidation;  State
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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ZHAO TX; JI H; LIANG Q; WANG XP; XU PS; LU ED; WU JX; XU ZJ .PHOTOEMISSION-STUDIES OF K-PROMOTED NITRIDATION OF INP(100) SURFACE USING SYNCHROTRON-RADIATION ,CHINESE PHYSICS LETTERS,1994,11(11):697-700
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