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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: OPTICAL AND STRUCTURAL-PROPERTIES OF AP-MOVPE GAINP/GAAS HETEROSTRUCTURES
作者: REN HW;  HUANG BL;  XU XG;  JIANG MH;  ZHENG WH;  XU JY;  ZHUANG WR
发表日期: 1994
摘要: Lattice matched GaInP/GaAs heterostructures were grown by atmospheric pressure-metal organic vapor phase epitaxy (AP-MOVPE). Compositional intermixing of As/P and Ga/In near the heterointerfaces was studied by photoluminescence (PL) spectroscopy. Indium segregation, memory effect of In into GaAs and the carry-over of As in the GaInP layer during the growth process were considered as three major factors giving rise to the anomalous emissions in the PL spectra. Both thermal annealing and zinc doping strongly enhanced the compositional interdiffusion near the heterointerfaces.
KOS主题词: Quantum wells;  Development
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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REN HW; HUANG BL; XU XG; JIANG MH; ZHENG WH; XU JY; ZHUANG WR .OPTICAL AND STRUCTURAL-PROPERTIES OF AP-MOVPE GAINP/GAAS HETEROSTRUCTURES ,CHINESE PHYSICS LETTERS,1994,11(12):778-781
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