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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: PHOTOLUMINESCENCE STUDIES ON VERY HIGH-DENSITY 2-DIMENSIONAL ELECTRON GASES IN PSEUDOMORPHIC MODULATION-DOPED QUANTUM-WELLS
作者: LI W;  WANG ZG;  LIANG JB;  XU B;  ZHU ZP;  SONG AM;  ZHENG WH;  YANG B
发表日期: 1994
摘要: We present photoluminescence studies on highly dense two-dimensional electron gases in selectively Si delta-doped GaAs/In0.18Ga0.82As/Al0.25Ga0.75As quantum wells (N(s) = 4.24 x 10(12) cm-2). Five well-resolved photoluminescence lines centered at 1.4194, 1.4506, 1.4609, 1.4695 and 1.4808 eV were observed, which are attributed to the subband excition emission. The subband separations clearly exhibit the feature of a typical quantum well with triangle and square potential. These very intensive and sharp luminescence peaks with linewidths of 2.2 to 3.5 meV indicate the high quality of the structures. Their dependence on the excitation intensity and temperatures are also discussed.
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
LI W; WANG ZG; LIANG JB; XU B; ZHU ZP; SONG AM; ZHENG WH; YANG B .PHOTOLUMINESCENCE STUDIES ON VERY HIGH-DENSITY 2-DIMENSIONAL ELECTRON GASES IN PSEUDOMORPHIC MODULATION-DOPED QUANTUM-WELLS ,CHINESE PHYSICS LETTERS,1994,11(12):758-761
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