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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: EXCITON LOCALIZATION IN CORRUGATED GAAS/ALAS SUPERLATTICES GROWN ON (311) GAAS SUBSTRATES
作者: XU ZY;  YUAN ZL;  XU JZ;  ZHENG BZ;  WANG BS;  JIANG DS
发表日期: 1995
KOS主题词: atomic layer deposition;  Optical properties;  Quantum wells;  Surfaces
刊名: PHYSICAL REVIEW B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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XU ZY; YUAN ZL; XU JZ; ZHENG BZ; WANG BS; JIANG DS .EXCITON LOCALIZATION IN CORRUGATED GAAS/ALAS SUPERLATTICES GROWN ON (311) GAAS SUBSTRATES ,PHYSICAL REVIEW B,1995,51(11):7024-7028
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