高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: PHOTOLUMINESCENCE STUDY OF GAAS/ALGAAS QUANTUM-WELL HETEROSTRUCTURE INTERFACES
作者: YUAN ZL;  XU ZY;  XU JZ;  ZHENG BZ;  LUO CP;  YANG XP;  ZHANG PH
发表日期: 1995
摘要: Photoluminescence (PL) is used to study the interface properties of GaAs/AlGaAs quantum well (QW) heterostructures prepared by molecular beam epitaxy with growth interruption (GI). The discrete luminescence lines observed for the sample with GI are assigned to the splitting of the heavy-hole exciton associated with heterointerface islands with the lateral size greater than exciton diameter and mean height less than one monolayer, and the spectra have the Gaussian lineshapes. The results strongly support the microroughness model. We also study the temperature dependence of the exciton energies and find that excitons are localized at the interface roughness at low temperature even in the sample with GI. The lateral size of the microroughness of the GI sample is estimated to be less than 5 nm from the exciton localization energy.
刊名: ACTA PHYSICA SINICA-OVERSEAS EDITION
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
7104.pdf219KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
YUAN ZL; XU ZY; XU JZ; ZHENG BZ; LUO CP; YANG XP; ZHANG PH .PHOTOLUMINESCENCE STUDY OF GAAS/ALGAAS QUANTUM-WELL HETEROSTRUCTURE INTERFACES ,ACTA PHYSICA SINICA-OVERSEAS EDITION,1995,4(7):523-530
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [YUAN ZL]的文章
 [XU ZY]的文章
 [XU JZ]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [YUAN ZL]的文章
 [XU ZY]的文章
 [XU JZ]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发