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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: CHARACTERISTICS OF OXIDES FORMED FROM A SI0.5GE0.5
作者: XING YR;  WU JA;  YIN SD
发表日期: 1995
摘要: X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) combined with Auger electron spectroscopy (AES) have been used to study the oxides from a Si0.5Ge0.5 alloy grown by molecular beam epitaxy (MBE). The oxidation was performed at 1000 degrees C wet atmosphere. The oxide consists of two layers: a mixed (Si,Ge)O-x layer near the surface and a pure SiOx layer underneath. Ge is rejected from the pure SiOx and piles up at the SiOx/SiGe interface. XPS analysis demonstrates that the chemical shifts of Si 2p and Ge 3d in the oxidized Si0.5Ge0.5 are significantly larger than those in SiO2 and GeO2 formed from pure Si and Ge crystals.
KOS主题词: Alloys;  Auger electron spectroscopy;  Oxidation;  silicon oxides;  Photoelectron spectroscopy;  X-ray photoelectron spectroscopy;  Oxidation;  Germanium
刊名: SURFACE SCIENCE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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XING YR; WU JA; YIN SD .CHARACTERISTICS OF OXIDES FORMED FROM A SI0.5GE0.5 ,SURFACE SCIENCE,1995,334(0):L705-L708
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