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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: BREAKING UP OF MISFIT DISLOCATIONS IN GAASIN0.3GA0.7AS/GAAS HETEROSTRUCTURE
作者: WU J;  LI W;  FAN TW;  WANG ZG;  DUAN XF
发表日期: 1995
摘要: The effect of GaAs cap layer with different thicknesses in the GaAs/In0.3Ga0.7As/GaAs heterostructure on misfit dislocation is investigated with transmission electron microscopy, and it is found that lines of misfit dislocation break up and move out of the structure when the GaAs cap layer thickness exceeds a certain amount. The breaking up and moving out of misfit dislocations, initially confined in the (001) substrate/InGaAs epilayer interface, occur mainly along the [110] direction on the interface in the structure. (C) 1995 American Institute of Physics.
KOS主题词: Relaxation
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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WU J; LI W; FAN TW; WANG ZG; DUAN XF .BREAKING UP OF MISFIT DISLOCATIONS IN GAASIN0.3GA0.7AS/GAAS HETEROSTRUCTURE ,APPLIED PHYSICS LETTERS ,1995,67(6):846-847
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