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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: PASSIVATION OF THE INP(100) SURFACE USING (NH4)(2)S-X
作者: CHEN WD;  XIE K;  DUAN LH;  XIE XL;  CUI YD
发表日期: 1995
摘要: InP(100) surface treated with (NH4)(2)S-x has been investigated by using photoluminescence(PL), Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. It is found that PL intensity increased by a factor of 3.3 after (NH4)(2)S-x passivation and the sulfur remained on the surface only bonded to indium, not to phosphorus. This suggests that the sulfur atoms replace the phosphorus atoms on the surface and occupy the phosphorus vacancies.
刊名: ACTA PHYSICA SINICA-OVERSEAS EDITION
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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CHEN WD; XIE K; DUAN LH; XIE XL; CUI YD .PASSIVATION OF THE INP(100) SURFACE USING (NH4)(2)S-X ,ACTA PHYSICA SINICA-OVERSEAS EDITION,1995,4(11):859-863
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