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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: HIGH-EFFICIENCY TOP SURFACE-EMITTING LASERS FABRICATED BY 4 IMPLANTATION USING TUNGSTEN WIRE AS MASK
作者: LIU Y;  ZHANG XB;  JIANG XY;  LIU SP;  LI XN;  DU GT;  GAO DS;  LIN SI;  KANG XJ;  GAO HH;  GAO JH;  WANG HJ
发表日期: 1995
摘要: We report the results of a high efficiency room temperature continuous wave (cw) vertical-cavity surface-emitting laser. The structure is obtained by four deep H+ implantation using tungsten wires as the mask. The fabrication process is the simplest ever reported in vertical-cavity surface-emitting laser fabrication. The largest differential quantum efficiency of 65% and maximum cw light output power over 4 mW have been achieved for the 15X15 mu m(2) device. (C) 1995 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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LIU Y; ZHANG XB; JIANG XY; LIU SP; LI XN; DU GT; GAO DS; LIN SI; KANG XJ; GAO HH; GAO JH; WANG HJ .HIGH-EFFICIENCY TOP SURFACE-EMITTING LASERS FABRICATED BY 4 IMPLANTATION USING TUNGSTEN WIRE AS MASK ,APPLIED PHYSICS LETTERS ,1995,67(24):3549-3550
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