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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Sidegating effect on Schottky contact in ion-implanted GaAs
作者: Wu J;  Wang ZG;  Fan TW;  Lin LY;  Zhang M
发表日期: 1995
摘要: The sidegating effect on the Schottky barrier in ion-implanted GaAs was investigated with capacitance-voltage profiling at various negative substrate voltages. It was demonstrated that the negative substrate voltage modulates the Schottky depletion region width as well as the space charge region at the substrate-active channel interface. (C) 1995 American Institute of Physics.
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wu J; Wang ZG; Fan TW; Lin LY; Zhang M .Sidegating effect on Schottky contact in ion-implanted GaAs ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,1995,78(12):7422-7423
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