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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: High quality CeO2 film grown on Si(111) substrate by using low energy dual ion beam deposition technology
作者: Huang DD;  Qin FG;  Yao ZY;  Ren ZZ;  Lin LY;  Gao WB;  Ren QY
发表日期: 1995
摘要: By using the mass-analyzed low energy dual ion beam deposition technique, a high quality epitaxial, insulating cerium dioxide thin film with a thickness of about 2000 Angstrom, has been grown on a silicon (111) substrate. The component species, cerium and oxygen, are homogeneous in depth, and have the correct stoichiometry for CeO2. X-ray double-crystal diffraction shows that the full width at half maximum of the (222) and (111) peaks of the film are less than 23 and 32 s, respectively, confirming that the film is a perfect single crystal. (C) 1995 American Institute of Physics.
KOS主题词: Epitaxy;  Layers;  system
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Huang DD; Qin FG; Yao ZY; Ren ZZ; Lin LY; Gao WB; Ren QY .High quality CeO2 film grown on Si(111) substrate by using low energy dual ion beam deposition technology ,APPLIED PHYSICS LETTERS ,1995,67(25):3724-3725
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