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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photoluminescence studies of single submonolayer InAs structures grown on GaAs (001) matrix
作者: Li W;  Wang ZG;  Liang JB;  Xu B;  Zhu ZP;  Yuan ZL;  Li J
发表日期: 1995
摘要: We report a detailed analysis of optical properties of single submonolayer InAs structures grown on GaAs (001) matrix. It is shown that the formation of InAs dots with 1 monolayer (ML) height leads to localization of exciton under certain submonolayer InAs coverage, which play a key role in the highly improved luminescence efficiency of the submonolayer InAs/GaAs structures.
KOS主题词: QUANTUM
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Li W; Wang ZG; Liang JB; Xu B; Zhu ZP; Yuan ZL; Li J .Photoluminescence studies of single submonolayer InAs structures grown on GaAs (001) matrix ,CHINESE PHYSICS LETTERS,1995,12(11):697-700
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