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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Total internal reflection optical switch with injection region isolated by oxygen ion implantation
作者: Zhuang WR;  Duan JN;  Zou ZZ;  Yang PS;  Shi ZW;  Sun FR;  Gao JH
发表日期: 1996
摘要: The characteristics of InGaAsP/InP total internal reflection optical switches were improved by adopting Oxygen ion implantation in forming electrical isolation, which can confine injected carriers successfully and obtain good perpendicular reflective ''wall'' whose transparency is controlled by injected carriers. Operating at 1.3-mu m wavelength, the extinction ratio at the reflected port of the optical switch is 18.5 dB at a low injection current of 26 mA and the off-state crosstalk is -18.8 dB.
KOS主题词: Integrated optics;  Ion implantation;  Optical switching;  Refractive index;  Gallium arsenide
刊名: FIBER AND INTEGRATED OPTICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhuang WR; Duan JN; Zou ZZ; Yang PS; Shi ZW; Sun FR; Gao JH .Total internal reflection optical switch with injection region isolated by oxygen ion implantation ,FIBER AND INTEGRATED OPTICS,1996,15(1):27-36
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