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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Influence of the semi-insulating GaAs Schottky pad on the Schottky barrier in the active layer
作者: Wu J;  Wang ZG;  Lin LY;  Han CB;  Zhang M;  Bai SW
发表日期: 1996
摘要: The influence of the sidegate voltage on the Schottky barrier in the ion-implanted active layer via the Schottky pad on the semi-insulating GaAs substrate was observed, and the mechanism for such an influence was proposed. (C) 1996 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wu J; Wang ZG; Lin LY; Han CB; Zhang M; Bai SW .Influence of the semi-insulating GaAs Schottky pad on the Schottky barrier in the active layer ,APPLIED PHYSICS LETTERS ,1996,68(18):2550-2552
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