高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Formation of Fe-N films containing Fe6N2 phase by ion beam assisted deposition
作者: Jiang H;  Yao Z;  Huang D;  Qin F;  Liu Z;  Tao K;  Li H
发表日期: 1996
摘要: Fe-N films were deposited on Si(100) and GaAs(100) substrates at room temperature by ion beam assisted deposition under various N/ Fe atomic arrival ratio, 0.09, 0.12, 0.15. The results of X-ray diffraction indicated that the film deposited at 0.12 of N/Fe arrival ratio contained a considerable fraction of the Fe16N2 phase which had grown predominantly in the [001] orientation. For the larger N/Fe arrival ratio, a martensite phase with 15 at.% nitrogen was obtained. It was found that a lower deposition temperature (<200 degrees C) was necessary for the formation of the Fe16N2 phase.
KOS主题词: Ion implantation;  Magnesium;  Nitrides
刊名: THIN SOLID FILMS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
7041.pdf300KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Jiang H; Yao Z; Huang D; Qin F; Liu Z; Tao K; Li H .Formation of Fe-N films containing Fe6N2 phase by ion beam assisted deposition ,THIN SOLID FILMS,1996,274(0):63-65
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Jiang H]的文章
 [Yao Z]的文章
 [Huang D]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Jiang H]的文章
 [Yao Z]的文章
 [Huang D]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发