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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Dislocation movement in nitrogen-doped Czochralski silicon
作者: Wei YD;  Liang JW
发表日期: 1996
摘要: Dislocation movement in N-doped Czochralski silicon (Cz-Si) was surveyed by four point bend method. Dislocation movement velocities in Cz-Si doped with nitrogen, with both nitrogen and antimony, and with only antimony were investigated. The order of measured dislocation movement velocities, at 700 degrees C less than or equal to T less than or equal to 800 degrees C and under resolved stress sigma=4.1 kg/mm(2), was V-Sb.O > V-n.Sb.O>V-N.O. The experiments showed that nigtrogen doping could retard the movement of dislocations.
KOS主题词: Speed
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wei YD; Liang JW .Dislocation movement in nitrogen-doped Czochralski silicon ,CHINESE PHYSICS LETTERS,1996,13(5):382-385
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