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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photoluminescence studies of GaAs/AlGaAs single quantum well intermixed by Ga+ ion implantation
作者: Sai N;  Zheng BZ;  Xu JZ;  Zhang PH;  Yang XP;  Xu ZY
发表日期: 1996
摘要: Ga(+)ion implantation followed by rapid thermal annealing (RTA) was used to enhance the interdiffusion in GaAs/AlGaAs single Quantum Wells(SQWs). The extent of intermixing was found to be dependent on the well depth, number of implanted ions and annealing time. A very fast interdiffusion process occurs at the initial annealing stage. After that, the enhanced diffusion coefficient goes back to the umimplanted value. We propose a two-step model to explain the diffusion process as a function of the annealing time : a fast diffusion process and a saturated diffusion process. The interdiffusion coefficient of the fast diffusion was found to be of well depth dependence and estimated to be in the range of 5.4x10(-16) similar to 1.5x10(-15)cm(2)s(-1). Copyright (C) 1996 Published by Elsevier Science Ltd
KOS主题词: Quantum wells;  Photoluminescence;  Diffusion;  Kirkendall effect;  Wire rope
刊名: SOLID STATE COMMUNICATIONS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Sai N; Zheng BZ; Xu JZ; Zhang PH; Yang XP; Xu ZY .Photoluminescence studies of GaAs/AlGaAs single quantum well intermixed by Ga+ ion implantation ,SOLID STATE COMMUNICATIONS ,1996,98(12):1039-1042
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