高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: A transition layer model and its application to resonant tunneling in heterostructures
作者: Song Y
发表日期: 1996
摘要: A transition layer model is proposed and used to calculate resonant tunneling in a double-barrier quantum well system. Compared with the ideal step of the potential at the interface, the studied system has transition layers that are composed by many thin rectangular barriers with a random height. It is found that these transition layers can improve the peak-to-valley ratio of the tunneling current and change the negative differential conductance.
刊名: PHYSICS LETTERS A
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
7034.pdf318KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Song Y .A transition layer model and its application to resonant tunneling in heterostructures ,PHYSICS LETTERS A,1996,216(0):183-186
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Song Y]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Song Y]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发