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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Electro-luminescence and photo-luminescence from strained SiGe/Si quantum well
作者: Dong WF;  Yang QQ;  Li J;  Wang QM;  Chui QA;  Zhou JM;  Huang Q
发表日期: 1996
摘要: Photo-luminescence and electro-luminescence from step-graded index SiGe/Si quantum well grown by molecular beam epitaxy is reported. The SiGe/Si step-graded index quantum well structure is beneficial to the enhancing of electro-luminescence. The optical and electrical properties of this structure are discussed.
KOS主题词: Electroluminescence;  alloy
刊名: ACTA PHYSICA SINICA-OVERSEAS EDITION
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Dong WF; Yang QQ; Li J; Wang QM; Chui QA; Zhou JM; Huang Q .Electro-luminescence and photo-luminescence from strained SiGe/Si quantum well ,ACTA PHYSICA SINICA-OVERSEAS EDITION,1996,5(6):456-462
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