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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Microstructure studies of PdGe/Ge ohmic contacts to n-type GaAs formed by rapid thermal annealing
作者: Chen WD;  Xie XL;  Cui YD;  Chen CH;  Hsu CC
发表日期: 1996
摘要: A low resistance and shallow ohmic contact to n-GaAs is performed by using Ge/Pd/GaAs trilayer structure and rapid thermal annealing process. The dependence of specific contact resistivity on the temperature of rapid thermal annealing is investigated. A good ohmic contact is formed after annealing at 400-500 degrees C for 60 s. The best specific contact resistivity is 1.4 x 10(-6) Omega cm(2). Auger electron spectroscopy (AES), secondary ion mass spectrometry (SIMS) and scanning electron microscopy (SEM) are used to analyze the interfacial microstructure. A strong correlation between the contact resistance and the film microstructure is observed.
KOS主题词: Germanium
刊名: APPLIED SURFACE SCIENCE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Chen WD; Xie XL; Cui YD; Chen CH; Hsu CC .Microstructure studies of PdGe/Ge ohmic contacts to n-type GaAs formed by rapid thermal annealing ,APPLIED SURFACE SCIENCE,1996,100(0):530-533
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